Markieren: | Laser-Material,Titan lackierter Saphir |
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Beschreibung
Ti: Saphir (Titan lackierte Saphir, Al2O3: Ti3+) hat eine breite Palette des Emissionsbandes von 660 bis 1050 Nanometer, die faciitates eine Vielzahl von vorhandenen und möglichen Anwendungen, wie melodischen Ununterbrochenwellenlasern, Modus-verschlossenen Oszillatoren, Gezwitscherimpulsverstärkern, dünnen Scheibenoszillatoren/Verstärkern und lidars. Außerdem das Absorptionsband von Ti: Saphir wird bei 490 Nanometer zentriert und reicht von 400 bis 650 Nanometer, das es passend für Pumpenquellen vieler verschiedenen Laser macht, zum Beispiel verdoppelte Argonion, Frequenz Nd: YAG (Nd: YLF) und kupferne Dampflaser. Wegen der 3,2 s-Fluoreszenzlebenszeit Ti: Saphirkristalle können durch Taschenlampen in starken Laser-Systemen effektiv gepumpt werden.
Zwecks gute Qualität von Ti erreichen: Saphirkristalle, das Ti3+, das Konzentration lackiert, muss ziemlich niedrig gehalten werden (z.B. 0,15% oder 0,25%). Deshalb erzwingt begrenzte Pumpenabsorption normalerweise den Gebrauch von einer Kristalllänge einiger Millimeter, denen im Verbindung mit der kleinen Pumpenspotgröße (für hohe Pumpenintensität) bedeutet, dass eine ziemlich hohe Pumpenhelligkeit angefordert wird. Glücklicherweise hat Saphir auch eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und vermindert thermische Effekte sogar für hohe Laser-Energien.
Eigenschaften
Anwendungen
Parameter
Eigentum |
Wert |
Chemicalformula |
Ti3+: Al2O3 |
Crystalstructure |
sechseckig |
Orientierung |
Ähnlichkeit A-Axiswithin 5°E-vector zur C-Achse |
Massdensity |
3,98 g/cm3 |
Mohhardness |
9 |
Young'smodulus |
335 GPa |
Tensilestrength |
MPa 400 |
Schmelzpunkt |
2040°C |
Thermalconductivity |
33 mit (M) |
Thermalexpansions-Koeffizient |
≈5×10-6K-1 |
Thermalshock-Widerstandparameter |
790 W/m |
Refractiveindex bei 633 Nanometer |
1,76 |
Temperaturedependence von Brechungskoeffizienten |
13×10-6K-1 |
Tidensity für 0,1% an. Lackieren |
4.56×1019cm-3 |
Spezifikationen
Eigentum |
Wert |
Fluorescencelifetime |
3,2 s |
Emissionwavelength |
660~1100nm |
Centralemission |
800nm |
Konzentrationen |
(0.05~0.35) WT % |
EndConfiguration |
Flache/Flator Brewster/Brewster Enden |
Emissioncross-Abschnitt bei 790 Nanometer (Polarisationsähnlichkeit zur c-Achse) |
41×10-20cm2 |